Estudo da Interferência de Nanotubos de Carbono no Regime de Operação de Transistores MOSFET

Resumo

Os transistores são componentes eletrônicos que possuem uma ampla área de aplicação, como TI, automotiva, industrial, aeronáutica entre outros. Porém, a sua fabricação em escala nanométrica está chegando ao seu limite físico, com isso, limitando o avanço de novos produtos e componentes com melhores desempenhos. O objetivo deste trabalho é analisar as propriedades dos transistores MOSFET tradicionais e dos CNFETs (transistores compostos por nanotubos de carbono), comparando-os com diferentes espessuras de óxido de porta, juntamente com dois tipos de materiais isolantes distintos, o dióxido de silício e o dióxido de háfnio. Para análise de todos os parâmetros referentes a ambos os transistores e caracterização das dimensões dos nanotubos de carbono, foi verificada por meio de pesquisas bibliográficas as formas de modelagem dos componentes citados. Para o desenvolvimento dos cálculos foram utilizados dois programas distintos, o ENIMOS desenvolvido em C# utilizando a plataforma de desenvolvimento Visual Studio da Microsoft, e o FETToy desenvolvido na plataforma MATLAB por alunos das universidades de Purdue University, University of Florida, University of Illinois, Southern Illinois University e IBM. Em posse de tais ferramentas, foi possível notar que, embora os transistores tradicionais tenham maiores valores de corrente quando utilizado o dióxido de háfnio em comparação com o dióxido de silício, os transistores CNFET possuem maior velocidade de saturação principalmente por conta das propriedades provenientes dos nanotubos de carbono. Isto permite com que este transistor apresente um desempenho melhor que os tradicionais.